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八五年，機電部（如今的工Y部）45所研製成功分步光刻機樣機，中K院滬海光學精密機械研究所研製的“掃描式投影光刻機“透過鑑定，採用的都是436奈米G線光源，製程工藝達到1.5um，認為均達到GCA生產的4800DSW水平，為國內大規模積體電路專用裝置填補了一項空白，這是國內第一臺分步投影式光刻機，在這個時期，在分步光刻機上與國外的差距不超過七年。

八十年代，國內開始大規模引進外資，用市場換技術，用空間換時間，貿工技的路線擠壓了自主技術成長的空間，許多G企紛紛轉型，技術下馬、專案停滯、“造不如買，買不如租”的思想佔據主流，其中也包括光刻機專案。

國內不少打著高科技旗號的公司沉迷在“貿易”和“加工”帶來的“快錢”裡不可自拔。

雖然積體電路的研發和生產是重點扶持的科研專案，但G企和合資晶圓公司紛紛進口3英寸、4英寸晶圓及3μm、2μm製程工藝的半導體生產線，國產光刻機缺乏市場競爭的優勢，幾家半導體裝置廠全部處於虧損狀態，沒有研發資金的持續投入，光刻機的研發和生產停滯不前。

光刻機經歷三十多年的快速發展，根據光刻機光源劃分，從六十年代的第一代g-line（436nm）光源、第二代i-line(365nm)光源的接觸式光刻機、接近式光刻機，到七十年代的第三代KrF（248nm）光源的步進式投影式光刻機，到八十年代的第四代ArF(193nm)光源的步進式掃描光刻機，裝置效能不斷提高，推動積體電路按照摩爾定律快速發展。

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