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1980年左右，中科院半導體所開始研製JK-1型半自動接近式光刻機，於1981年研製成功兩臺樣機。

而由於美國在50年代就已經擁有了接觸式光刻機，相比之下，中國落後了將近20年，同時國外從1978年開始轉向分步重複投影光刻，此時中國科學界也認識到，分佈投影光刻技術的優越性，但限於國內工業技術差難以實現。

在1978年世界上第1臺DSW光刻機問世不久，機電部第45所，就開始跟蹤研究分步式光刻機，對標美國的4800DSW，1985年研製出了BG-101分部光刻機樣機，並透過電子部技術鑑定，認為達到了美國同類產品水平，而當時採用的是436奈米G線光源。

這也就意味著1985年的時候，中國在高科技領域與國外的差距拉近到了7年左右，也就是達到了美國1978年的水平。

可以看出國產光刻機。研發在上世紀70年代後期起不直到80年代，後期技術一直在推進，並且取得了一定的代表性成果。

然而到了80年代中後期，中國卻因為技術封鎖以及買辦思想盛行，造成了光刻機的落後。

當時的巴統協議不批准向中國出售先進的裝置，國外工藝線已用0.5微米的裝置時，卻只對我國出口1.5微米的裝置，整整差了三代，此外8組還規定對我國出口的光刻機鏡頭na必須小於0.17，既只能有二微米以上的解析度。

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